SJ 50033.144-1999 半导体分立器件2CW50～78型玻璃钝化封装硅电压调整二极管详细规范
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ID： |
C2EA265531474A949F0EFA2ED3416E2C |
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文件大小(MB)： |
0.64 |
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12 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/144—1999,半导体分立器件,2CW50.78型玻璃钝化封装硅,电压调整二极管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for types 2CW5〇.78 glass passivation package,Silicon voltage-regulator diodes,1999-1170 发布1999-12-01 实施,中华人民共和国信息产业部 批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2CW5O~78型玻璃钝化封装硅电压 SJ 50033/144—1999,调整二极管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail speciHcation for types 2CW5〇.78,glass passivation package silicon,voltage - regulator diodes,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 2CW50.78 （原企业型号为BWA50-78）型玻璃钝化封装硅电压调,整二级管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33A《半导体分立器件总规范》1.3.1的规定,提供的器件质量保证等级为,普军、特军和超特军三级,分别用字母jp、JT和JCT表示,2引用文件,GBfT 6571-1995半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和调整二,极管,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33A—97半导体分立器件总规范,GJB 128A-97半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33A和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的改计和结构应按GJB 33A和本规范的规定,中华人民共和国信息产业部!999-11-10发布 1999-12-01实施,-1 一,SJ 50033/144—1999,3. 2.1引出端材料和镀涂,引出端材料为无氧铜,引出端表面应镀锡,3. 2.2器件的结构,器件是采用硅台面结构,玻璃钝化实体封装,芯片和引线之间采用冶金键合,3. 2.3外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581中的D2~10A型及本规范的规定（见图1）,L G L,mm,\尺寸,ーー——代号、,符号 ----- -ー、,D2—10A,min nom max,* 0.72 0.87,①D 3.5,G 5.0,L 25,ム1.5,び12.5,注:1）厶为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度,图1外形图,3.3最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,注:1）な＞25℃时,按2 mWlC线性地降额.,7数,尸就4sm 4m ^OP T,ー、极限值、,7>25 ℃,型1^'^,W mA mA ℃ ℃,2CW5〇.78 0.25 表6第8栏表6第7栏-55~150 -55.150,-2 -,www. bzfxw. com 下载,SJ 50033/144—1999,3.3.2主要电特性（ム=25て）,、、参数,型号、,Vz,ム=表6第4栏,V,rz,ル=表6第4栏,Q,ZK,ム广1 mA,C,/ri,ム=表6第9栏,V,avz,ル=表6第4栏,%/℃,2CW5〇.78,最小值最大值最大值最大值最大值最大值,表6第3栏表6第2栏表6第5栏表6第6栏表6第10栏表6第14栏,3.4电测试要求,电测试应符合GB/T6571及本规范的规定,3. 5方F志,标志应符合GJB 33A和本规范的规定。器件标志为极性和型号,型号中省略“ 2C”,字样,如2CW58标志为“W58”,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33A和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33A规定,4.3 筛选（仅对JT和JCT级）,筛选应按GJB 33A表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1的规定进行,超过,本规范表1极限值的器件应予剔除,筛选要求,步骤和项目,试验方法,GJB 128A,条件要求,1.内部目检（不适用）,3.温度循环,（空气一空气）,1051 温度：-55マ3150 ℃,循环次数:20次,极值温度下试验时间0.5 h,4.恒定加速度（不适用）,5,粒子碰撞噪声检测,（不适用）,7.密封（不适用）,8.编序列号（不要求）,10.髙温反偏（不要求）,11. PDA的中间电参数测试,和（厶）变化量,按本规范表1的A2分组测Vz和ん,12.功率老炼1038 试验条件B IA=25 ℃,外加电流/zm见表6第7栏,时间：至少96h,-3 -,SJ 50033/144—1999,续表,步骤和项目,试验方法,GJB 128A,条件要求,13.终点测量,PDA的中间电参数和厶参数,按本规范表1的A2分组初始值的100%或1.0,□A取较大者,ムル区初始值的2.5%,14.密封（不适用）,15. X射线照相（不要求）,16.目视检查（不要求）,4.4质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33A和本规范的规定,4. 4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33A和本规范表1的规定进行,4. 4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33A和本规范表2的规定进行,4. 4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33A和本规范表3的规定进行,4. 4.4 E组检验,E组检验应按GJB 33A和……
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